Содержание
- Оптоэлектронные
приборы
Основные характеристики светоизлучающих диодов видимого диапазона
Основные характеристики светоизлучающих диодов инфракрасного диапазона
Оптоэлектронные приборы в широком понимании
Список использованных источников
Оптоэлектронные
приборы
Работа
оптоэлектронных приборов основана
на электронно-фотонных процессах получения,
передачи и хранения информации.
Простейшим
оптоэлектронным прибором является
оптоэлектронная пара, или оптрон.
Принцип действия оптрона, состоящего
из источника излучения, иммерсионной
среды (световода) и фотоприемника, основан
на преобразовании электрического сигнала
в оптический, а затем снова в электрический.
Оптроны
как функциональные приборы обладают
следующими преимуществами перед обычными
радиоэлементами:
полной
гальванической развязкой «вход
– выход» (сопротивление изоляции
превышает 10 12 – 10 14 Ом);
абсолютной
помехозащищенностью в канале передачи
информации (носителями информации являются
электрически нейтральные частицы
– фотоны);
однонаправленностью
потока информации, которая связана
с особенностями распространения
света;
широкополосностью
из-за высокой частоты оптических
колебаний,
достаточным
быстродействием (единицы наносекунд);
высоким
пробивным напряжением (десятки
киловольт);
малым
уровнем шумов;
хорошей
механической прочностью.
По
выполняемым функциям оптрон можно
сравнивать с трансформатором (элементом
связи) при реле (ключом).
В оптронных
приборах применяют полупроводниковые
источники излучения – светоизлучающие
диоды, изготовляемые из материалов соединений
группы А
III
B
V ,
среди которых наиболее
перспективны фосфид и арсенид галлия.
Спектр их излучения лежит в области видимого
и ближнего инфракрасного излучения (0,5
– 0,98 мкм). Светоизлучающие диоды на основе
фосфида галлия имеют красный и зеленый
цвет свечения. Перспективны светодиоды
из карбида кремния, обладающие желтым
цветом свечения и работающие при повышенных
температурах, влажности и в агрессивных
средах.
Светодиоды,
излучающие свет в видимом диапазоне
спектра, используют в электронных часах
и микрокалькуляторах.
Светоизлучающие
диоды характеризуются спектральным
составом излучения, который достаточно
широк, диаграммой направленности; квантовой
эффективностью, определяемой отношением
числа испускаемых квантов света
к количеству прошедших через p
-n
-переход
электронов; мощностью (при невидимом
излучении) и яркостью (при видимом излучении);
вольт-амперными, люмен-амперными и ватт-амперными
характеристиками; быстродействием (нарастанием
и спадом электролюминесценции при импульсном
возбуждении), рабочим диапазоном температур.
При повышении рабочей температуры яркость
светодиода падает и снижается мощность
излучения.
Основные
характеристики светоизлучающих диодов
видимого диапазона приведены в
табл. 1, а инфракрасного диапазона –
в табл. 2.
Таблица
1 Основные характеристики
светоизлучающих диодов
видимого диапазона
Тип диода | Яркость, кд/м 2 , или сила света, мккд | Цвет свечения | Постоянный прямой ток, мА | Масса, г | ||
КЛ101
А – В
АЛ102 А
– Г
АЛ307 А – Г |
10 – 20 кд/м 2
40 –
250 мккд
150 – 1500 мккд |
5,5
2,8
2,0 – 2,8 |
Желтый
Красный,
зеленый
Красный, зеленый |
10 – 40
5 –
20
10 – 20 |
0,03
0,25
0,25 |
Светоизлучающие диоды в оптоэлектронных приборах соединяются с фотоприемниками иммерсионной средой, основным требованием к которой является передача сигнала с минимальными потерями и искажениями. В оптоэлектронных приборах используют твердые иммерсионные среды – полимерные органические соединения (оптические клеи и лаки), халькогенидные среды и волоконные световоды. В зависимости от длины оптического канала между излучателем и фотоприемником оптоэлектронные приборы можно подразделить на оптопары (длина канала 100 – 300 мкм), оптоизоляторы (до 1 м) и волоконно-оптические линии связи – ВОЛС (до десятков километров).
Таблица
2. Основные характеристики
светоизлучающих диодов
инфракрасного диапазона
Тип диода | Полная мощность излучения, мВт | Постоянное прямое напряжение, В | Длина волны излучения, мкм | Время нарастания импульса излучения, нс | Время спада импульса излучения, нс | Масса, г |
АЛ103
А, Б
АЛ106 А
– Д
АЛ107 А, Б АЛ108 А АЛ109 А АЛ115 А |
0,6 – 1 (при
токе 50 мА)
0,2 –
1,5 (при токе 100 мА)
6 – 10 (при токе 100 мА) 1,5 (при токе 100 мА) 0,2 (при токе 20 мА) 10 (при токе 50 м А) |
1,6
1,7 –
1,9
2 1,35 1,2 2,0 |
0,95
0,92 – 0,935
0,95 0,94 0,94 0,9 – 1 |
200 – 300
10
– 400 – 300 |
500
20
– 1000 – 500 |
0,1
0,5
0,2 0,15 0,006 0,2 |
К фотоприемникам, используемым в оптронных приборах, предъявляют требования по согласованию спектральных характеристик с излучателем, минимуму потерь при преобразовании светового сигнала в электрический, фоточувствительности, быстродействию, размерам фоточувствительной площадки, надежности и уровню шумов.
Для оптронов наиболее перспективны фотоприемники с внутренним фотоэффектом, когда взаимодействие фотонов с электронами внутри материалов с определенными физическими свойствами приводит к переходам электронов в объеме кристаллической решетки этих материалов.
Внутренний фотоэффект проявляется двояко: в изменении сопротивления фотоприемника под действием света (фоторезисторы) либо в появлении фото-эдс на границе раздела двух материалов – полупроводник-полупроводник, металл-полупроводник (вентильные фотоэлементы, фотодиоды, фототранзисторы).
Фотоприемники с внутренним фотоэффектом подразделяют на фотодиоды (с p -n -переходом, МДП-структурой, барьером Шоттки), фоторезисторы, фотоприемники с внутренним усилением (фототранзисторы, составные фототранзисторы, фототиристоры, полевые фототранзисторы).
Фотодиоды выполняют на основе кремния и германия. Максимальная спектральная чувствительность кремния 0,8 мкм, а германия – до 1,8 мкм. Они работают при обратном смещении на p -n -переходе, что позволяет повысить их быстродействие, стабильность и линейность характеристик.
Наиболее часто в качестве фотоприемников оптоэлектронных приборов различной сложности применяют фотодиоды p-i -n -структуры, где i – обедненная область высокого электрического поля. Меняя толщину этой области, можно получить хорошие характеристики по быстродействию и чувствительности за счет малой емкости и времени пролета носителей.
Повышенными чувствительностью и быстродействием обладают лавинные фотодиоды, использующие усиление фототока при умножении носителей заряда. Однако у этих фотодиодов недостаточно стабильны параметры в диапазоне температур и требуются источники питания высокого напряжения. Перспективны для использования в определенных диапазонах длин волн фотодиоды с барьером Шоттки и с МДП-структурой.
Фоторезисторы изготовляют в основном из поликристаллических полупроводниковых пленок на основе соединения (кадмия с серой и селеном). Максимальная спектральная чувствительность фоторезисторов 0,5 – 0,7 мкм. Фоторезисторы, как правило, применяют при малой освещенности; по чувствительности они сравнимы с фотоэлектронными умножителями – приборами с внешним фотоэффектом, но требуют низковольтного питания. Недостатками фоторезисторов являются низкое быстродействие и высокий уровень шумов.
Наиболее распространенными фотоприемниками с внутренним усилением являются фототранзисторы и фототиристоры. Фототранзисторы чувствительнее фотодиодов, но менее быстродействующие. Для большего повышения чувствительности фотоприемника применяют составной фототранзистор, представляющий сочетание фото- и усилительного транзисторов, однако он обладает невысоким быстродействием.
В оптронах в качестве фотоприемника можно использовать фототиристор (полупроводниковый прибор с тремя p-n -переходами, переключающийся при освещении), который обладает высокими чувствительностью и уровнем выходного сигнала, но недостаточным быстродействием.
Многообразие типов оптронов определяется в основном свойствами и характеристиками фотоприемников. Одно из основных применений оптронов – эффективная гальваническая развязка передатчиков и приемников цифровых и аналоговых сигналов. В этом случае оптрон можно использовать в режиме преобразователя или коммутатора сигналов. Оптрон характеризуется допустимым входным сигналом (током управления), коэффициентом передачи тока, быстродействием (временем переключения) и нагрузочной способностью.
Отношение коэффициента передачи тока к времени переключения называется добротностью оптрона и составляет 10 5 – 10 6 для фотодиодных и фототранзисторных оптронов. Широко используют оптроны на основе фототиристоров. Оптроны на фоторезисторах не получили широкого распространения из-за низкой временной и температурной стабильности. Схемы некоторых оптронов приведены на рис. 4, а – г.
В качестве когерентных источников излучения применяют лазеры, обладающие высокой стабильностью, хорошими энергетическими характеристиками и эффективностью. В оптоэлектронике для конструирования компактных устройств используют полупроводниковые лазеры – лазерные диоды, применяемые, например, в волоконно-оптических линиях связи вместо традиционных линий передачи информации – кабельных и проводных. Они обладают высокой пропускной способностью (полоса пропускания единицы гигагерц), устойчивостью к воздействию электромагнитных помех, малой массой и габаритами, полной электрической изоляцией от входа к выходу, взрыво- и пожаробезопасностью. Особенностью ВОЛС является использование специального волоконно-оптического кабеля, структура которого представлена на рис. 5. Промышленные образцы таких кабелей имеют затухание 1 – 3 дБ/км и ниже. Волоконно-оптические линии связи используют для построения телефонных и вычислительных сетей, систем кабельного телевидения с высоким качеством передаваемого изображения. Эти линии допускают одновременную передачу десятков тысяч телефонных разговоров и нескольких программ телевидения.
В
последнее время интенсивно разрабатываются
и получают распространение оптические
интегральные схемы (ОИС), все элементы
которых формируются осаждением
на подложку необходимых материалов.
Перспективными
в оптоэлектронике являются приборы
на основе жидких кристаллов, широко используемые
в качестве индикаторов в электронных
часах. Жидкие кристаллы представляют
собой органическое вещество (жидкость)
со свойствами кристалла и находятся в
переходном состоянии между кристаллической
фазой и жидкостью.
Индикаторы
на жидких кристаллах имеют высокую
разрешающую способность, сравнительно
дешевы, потребляют малую мощность
и работают при больших уровнях
освещенности.
Жидкие
кристаллы со свойствами, схожими
с монокристаллами (нематики, наиболее
часто используют в световых индикаторах
и устройствах оптической памяти. Разработаны
и широко применяются жидкие кристаллы,
изменяющие цвет при нагревании (холестерики).
Другие типы жидких кристаллов (смектики)
используют для термооптической записи
информации.
Оптоэлектронные
приборы, разработанные сравнительно
недавно, получили широкое распространение
в различных областях науки и
техники, благодаря своим уникальным
свойствам. Многие из них не имеют
аналогов в вакуумной и полупроводниковой
технике. Однако существует еще много
нерешенных проблем, связанных с разработкой
новых материалов, улучшением электрических
и эксплуатационных характеристик этих
приборов и развитием технологических
методов их изготовления.
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор - полупроводниковый прибор, действие которого основано на использовании явлений излучения, передачи или поглощения в видимой, инфракрасной или ультрафиолетовой областях спектра.
Оптоэлектронные приборы в широком понимании представляют собой устройства , использующие оптическое излучение для своей работы: генерации, детектирования, преобразования и передачи информационного сигнала. Как правило, эти приборы включают в себя тот или иной набор оптоэлектронных элементов. В свою очередь, сами приборы можно подразделить на типовые и специальные, считая типовыми те из них, которые серийно производятся для широкого применения в различных отраслях промышленности, а специальные устройства выпускаются с учетом специфики конкретной отрасли - в нашем случае, полиграфии.
Все
многообразие оптоэлектронных
элементов подразделяют
на следующие группы
изделий:
источники и приемники излучения,
индикаторы, элементы оптики и световоды,
а также оптические среды, позволяющие
создавать элементы управления, отображения
и запоминания информации. Известно, что
любая систематизация не может быть исчерпывающей,
но, как верно отметил наш соотечественник,
открывший в 1869 г. периодический закон
химических элементов, Дмитрий Иванович
Менделеев (1834-1907), наука начинается там,
где появляется счет, т.е. оценка, сравнение,
классификация, выявление закономерностей,
определение критериев, общих признаков.
Учитывая это, прежде чем приступить к
описанию конкретных элементов, следует
хотя бы в общих чертах дать отличительную
характеристику оптоэлектронных изделий.
Как было
сказано выше, главным отличительным
признаком оптоэлектроники является
связь с информацией. К примеру,
если в какой-то установке для
закалки стальных валов используется
лазерное излучение, то вряд ли закономерно
относить эту установку к оптоэлектронным
устройствам (хотя сам источник лазерного
излучения имеет на это право).
Было
также отмечено, что к оптоэлектронным
относят обычно твердотельные элементы
(в Московском энергетическом институте
издано учебное пособие по курсу
«Оптоэлектроника» под названием «Приборы
и устройства полупроводниковой оптоэлектроники»).
Но это правило не очень жесткое, так как
в отдельных изданиях по оптоэлектронике
подробно рассматривается работа фотоумножителей
и электронно-лучевых трубок (они относятся
к типу электровакуумных приборов), газовых
лазеров и других устройств, которые не
являются твердотельными. Однако в полиграфии
упомянутые устройства широко используют
наравне с твердотельными (в том числе
и полупроводниковыми), решая схожие задачи,
поэтому в данном случае они имеют полное
право на рассмотрение.
и т.д.................
Классификация и система обозначений тиристоров
Выпускаемые с 1980 года тиристоры имеют классификацию и систему обозначений, установленные ГОСТ 20859.1-89. В основу обозначений тиристоров положен буквенно-цифровой код, состоящий из девяти элементов.
Первый элемент (буква или буквы) обозначает вид прибора: Т – тиристор; ТЛ – лавинный тиристор; ТС – симметричный тиристор (симистор); ТО – оптотиристор; ТЗ – запираемый тиристор; ТБК – комбинированно выключаемый тиристор; ТД – тиристор-диод.
Второй элемент (буква) – подвид тиристора по коммутационным характеристикам: Ч – высокочастотный (быстро включающийся) тиристор; Б – быстродействующий; И – импульсный.
Третий элемент (цифра от 1 до 9) обозначает порядковый номер модификации (разработки).
Четвертый элемент (цифра от 1 до 9) – классификационный размер корпуса прибора.
Пятый элемент (цифра от 0 до 5) – конструктивное исполнение.
Шестой элемент – число, равное значению максимально допустимого среднего тока.
Седьмой элемент – буква Х для приборов с обратной полярностью (основание корпуса – катод).
Восьмой элемент – число, обозначающее класс по повторяющемуся импульсному напряжению в закрытом состоянии (сотни вольт).
Девятый элемент – группа цифр, обозначающая сочетание классификационных параметров: (du зс /dt ). Аббревиатура «зс» означает запертое состояние.
Пример условных обозначений тиристоров по ГОСТ 20859.1–89:
ТЛ171-320-10-6 – тиристор лавинный первой модификации, размер шестигранника «под ключ» 41 мм , конструктивное исполнение – штыревое с гибким катодным выводом, максимально допустимый средний ток в открытом состоянии 320 А , повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии 1000 В (10-й класс), критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии 500 В/мкс .
Оптоэлектронными называют приборы, которые чувствительны к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях, а также приборы, производящие или использующие такое излучение.
Излучение в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях относят к оптическому диапазону спектра. Обычно к указанному диапазону относят электромагнитные волны с длиной от 1 нм до 1 мм , что соответствует частотам примерно от 0,5·10 12 Гц до 5·10 17 Гц . Иногда говорят о более узком диапазоне частот – от 10 нм до 0,1 мм (~5·10 12 …5·10 16 Гц ). Видимому диапазону соответствуют длины волн от 0,38 мкм до 0,78 мкм (частота около 10 15 Гц ).
На практике широко используются источники излучения (излучатели), приемники излучения (фотоприемники) и оптроны (оптопары).
Оптроном называют прибор, в котором имеется и источник, и приемник излучения, конструктивно объединенные и помещенные в один корпус.
Из источников излучения нашли широкое применение светодиоды и лазеры, а из приемников – фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры.
Широко используются оптроны, в которых применяются пары светодиод-фотодиод, светодиод-фототранзистор, светодиод-фототиристор.
Основные достоинства оптоэлектронных приборов:
· высокая информационная емкость оптических каналов передачи информации, что является следствием больших значений используемых частот;
· полная гальваническая развязка источника и приемника излучения;
· отсутствие влияния приемника излучения на источник (однонаправленность потока информации);
· невосприимчивость оптических сигналов к электромагнитным полям (высокая помехозащищенность).
Излучающий диод (светодиод)
Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, часто называют светоизлучающим, или светодиодом.
Рассмотрим устройство, характеристики, параметры и систему обозначений излучающих диодов.
Устройство. Схематическое изображение структуры излучающего диода представлено на рис. 6.1,а, а его условное графическое обозначение – на рис. 6.2,б.
Излучение возникает при протекании прямого тока диода в результате рекомбинации электронов и дырок в области p-n -перехода и в областях, примыкающих к указанной области. При рекомбинации излучаются фотоны.
Характеристики и параметры . Для излучающих диодов, работающих в видимом диапазоне (длина волн от 0,38 до 0,78 мкм , частота около 10 15 Гц ), широко используются следующие характеристики:
· зависимость яркости излучения L от тока диода i (яркостная характеристика);
зависимость силы света I v от тока диода i .
Рис. 6.1. Структура светоизлучающего диода (а )
и его графическое изображение (б )
Яркостная характеристика для светоизлучающего диода типа АЛ102А представлена на рис. 6.2. Цвет свечения этого диода – красный.
Рис. 6.2. Яркостная характеристика светодиода
График зависимости силы света от тока для светоизлучающего диода типа АЛ316А представлен на рис. 6.3. Цвет свечения – красный.
Рис. 6.3. Зависимость силы света от тока светодиода
Для излучающих диодов, работающих не в видимом диапазоне, используют характеристики, отражающие зависимость мощности излучения Р от тока диода i . Зона возможных положений графика зависимости мощности излучения от тока для излучающего диода типа АЛ119А, работающего в инфракрасном диапазоне (длина волны 0,93…0,96 мкм ), представлена на рис. 6.4.
Приведем для диода АЛ119А его некоторые параметры:
· время нарастания импульса излучения – не более 1000 нс ;
· время спада импульса излучения – не более 1500 нс ;
· постоянное прямое напряжение при i =300 мА – не более 3 В ;
· постоянный максимально допустимый прямой ток при t <+85°C – 200 мА ;
· температура окружающей среды –60 …+85°С.
Рис. 6.4 . Зависимость мощности излучения от тока светодиода
Для информации о возможных значениях коэффициента полезного действия отметим, что излучающие диоды типа ЗЛ115А, АЛ115А, работающие в инфракрасном диапазоне (длина волны 0,95 мкм , ширина спектра не более 0,05 мкм ), имеют коэффициент полезного действия не менее 10 %.
Система обозначений. Используемая система обозначений светоизлучающих диодов предполагает применение двух или трех букв и трех цифр, например АЛ316 или АЛ331. Первая буква указывает на материал, вторая (или вторая и третья) – на конструктивное исполнение: Л – единичный светодиод, ЛС – ряд или матрица светодиодов. Последующие цифры (а иногда буквы) обозначают номер разработки.
Оптоэлектронными называют приборы, преобразующие электрические сигналы в оптические. К оптоэлектронным приборам относят светоизлучающие диоды, оптопары и волоконно-оптические приборы.
Светоизлучающие диоды
Светоизлучающий диод – это полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате рекомбинации электронов и дырок. В качестве самостоятельного прибора излучающий диод применяется в световых индикаторах, в которых используется явление излучения света
р-n
переходом при прохождении через него прямого тока. Кванты света возникают при рекомбинации инжектируемых р-n
переходом в базу диода неосновных носителей с основными носителями заряда (явление люминесценции).
Рис. 13.9 |
Устройство светодиода и его условное обозначение показаны на рис. 13.9. Часто светодиод снабжают пластмассовой светорассеивающей линзой. В таком виде его используют в качестве светосигнального индикатора. Яркость его свечения зависит от плотности тока, цвет свечения – от ширины запрещенной зоны и типа полупроводника. Цвета свечения: красный, желтый, зеленый. Так, например, светодиод 2Л101А имеет желтое свечение, яркость – 10 кДж /м 2 , ток – 10 мА , напряжение – 5 В .
Оптопары
Оптопара (оптрон) – это оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и светоприемного элементов, электрически изолированных друг от друга и имеющих между собой оптическую связь.
Рис. 13.10 |
Простейший оптрон состоит из светодиода и фотодиода, размещенных в одном корпусе. В качестве светоприемника также могут использоваться фототранзисторы, фототиристоры и фотосопротивления; при этом источник и приемник светового излучения выбирают спектрально согласованными.
Устройство простейшей диодной оптопары и ее условное графическое обозначение приведены на рис. 13.10.
Оптическая среда распространения сигнала может представлять собой прозрачное соединение на основе полимеров или особых стекол. Применяют также длинные волоконные светодиоды, с помощью которых можно разнести излучатель и приемник на значительное расстояние, обеспечив их надежную электрическую изоляцию друг от друга и помехоустойчивость. Это позволяет управлять высокими напряжениями (сотни киловольт) с помощью низких напряжений (несколько вольт).
Важным показателем работы оптрона является его быстродействие. Время переключения фоторезисторных оптопар составляет не более 3 мс .
Оптоэлектроника – это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами оптического диапазона и электронами вещества (преимущественно твердых тел) и охватывающий проблемы создания оптоэлектронных приборов (в основном методами микроэлектронной технологии), в которых эти эффекты используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации.
Согласно этому определению оптоэлектронику как научно-техническое направление характеризуют три отличительные черты.
1. Физическую основу оптоэлектроники составляют явления, методы, средства, для которых принципиальны сочетание и неразрывность оптических и электронных процессов.
2. Техническую основу оптоэлектроники определяют конструктивно-технологические концепции современной микроэлектроники: миниатюризация элементов; предпочтительное развитие твердотельных плоскостных конструкций; интеграция элементов и функций; ориентация на специальные сверхчистые материалы; применение методов групповой обработки изделий.
3. Функциональное назначение оптоэлектроники состоит в решении следующих задач: генерации, переносе, преобразовании, хранении и отображении информации.
Для решения перечисленных задач в оптоэлектронных приборах используются информационные сигналы в оптической и электрической формах, но определяющими являются оптические сигналы – именно этим достигается то качественно новое, что отличает оптоэлектронику.
Оптоэлектронными называют приборы , чувствительные к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и ультрафиолетовой областях, а также приборы, производящие или использующие такое излучение.
В конкретном оптоэлектронном приборе наличие всех трех составляющих данного выше определения является обязательным, но перечисленные отличительные признаки могут быть воплощены в большей или меньшей степени. Это позволяет разделить опто- и фотоэлектронные приборы (фотоэлектронные умножители, электроннолучевые приборы).
На рис. 2.1 представлена классификация оптоэлектронных приборов и указаны физические эффекты, лежащие в основе их работы.
На практике широко используются источники излучения (излучатели), приемники излучения (фотоприемники) и оптроны (оптопары).
Излучатель – источник, световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступающего на его вход.
Из источников излучения нашли широкое применение светодиоды и лазеры, а из приемников – фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры. Широко используются оптроны, в которых применяются пары светодиод–фотодиод, светодиод–фототранзистор, светодиод–фототиристор.
По виду используемого излучателя выделяют приборы когерентной (с лазерами) и некогерентной (со светоизлучающими диодами) оптоэлектроники.
Как отдельные приборы, так и сложные оптоэлектронные системы создаются из отдельных элементов. Основными оптоэлектронными элементами являются:
· источники когерентного оптического излучения (полупроводниковый лазер);
· источники некогерентного оптического излучения (светоизлучающий диод);
· активные и пассивные оптические среды;
· приемники оптического излучения (фотодиод);
· оптические элементы (линза);
· волоконно-оптические элементы (волоконно-оптический жгут);
· интегрально-оптические элементы (интегрально-оптическое зеркало).
Как видно из обобщенной структурной схемы оптоэлектронного прибора (ОЭП), приведенной на рис. 2.2, наряду с фотоприемниками и излучателями важным компонентом ОЭП являются входные и выходные согласующие электрические схемы, предназначенные для формирования и обработки оптического сигнала. Особенностью этих достаточно сложных, в основном интегральных, схем является компенсация потерь энергии при преобразованиях «электричество – свет» и «свет – электричество», а также обеспечение высокой стабильности и устойчивости работы ОЭП при воздействии внешних факторов.
По функциональному назначению в классе оптоэлектронных приборов, кроме миниатюрных источников излучения и одно- и многоэлементных приемников излучения, следует выделить следующие приборы.
Оптопарой называют оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически.
Оптопары широко используются в микроэлектронной и электротехнической аппаратуре для обеспечения электрической развязки при передаче информационных сигналов, бесконтактной коммутации сильноточных и высоковольтных цепей и создания перестраиваемых фотоприемников в устройствах контроля и регулирования.
Оптоэлектронные датчики – приборы, преобразующие внешние физические воздействия: температуру, давление, влажность, ускорение, магнитное поле и другие, – в электрические сигналы. Действие этих приборов основано на различных принципах. К датчикам относятся формирователи сигналов изображения и оптопары с открытым оптическим каналом. Особенно интенсивное развитие этого направления связано с появлением волоконно-оптических датчиков, в которых внешние воздействия изменяют характеристики оптического сигнала, распространяющегося по волокну.
Волоконно-оптические линии связи (ВОЛС) – устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод (в виде кабеля), сочлененный с излучателем на одном (передающем) конце и с фотоприемником на другом (приемном).
Физическую основу ВОЛС определяют процессы распространения оптических сигналов по волоконному световоду, а также светогенерационные и фотоэлектрические явления в излучателе и приемнике.
Индикаторы – электрически управляемые приборы для систем визуального отображения информации. Они находят широчайшее применение, начиная от электронных часов и микро-калькуляторов, табло и приборных щитов и кончая дисплеями в системе «человек – ЭВМ». Физическую основу приборов индикаторного типа составляют разные виды электролюминесценции (для приборов с активным светящимся растром) и электрооптические явления (для приборов с пассивным светоотражающим растром).
В соответствии с классификацией изделий некогерентной оптоэлектроники ОЭП разделяются: по виду оптоэлектронного преобразования сигналов (принцип преобразования «электричество – свет» реализуется в излучающих приборах), уровню интеграции, функциональному применению и конструктивному исполнению. Каждая из выделенных групп ОЭП, по-видимому, будет в дальнейшем пополняться новыми приборами и устройствами.
Перечислим основные достоинства оптоэлектронных приборов:
Высокая пропускная способность оптического канала. Частота колебаний на три-пять порядков выше, чем в освоенном радиотехническом диапазоне. Это значит, что во столько же раз возрастает и пропускная способность оптического канала передачи информации.
Идеальная электрическая развязка входа и выхода. Использование в качестве носителя информации электрически нейтральных фотонов обусловливает бесконтактность оптической связи. Отсюда следуют идеальная электрическая развязка входа и выхода; однонаправленность потока информации и отсутствие обратной реакции приемника на источник; помехозащищенность оптических каналов связи; скрытность передачи информации по оптическому каналу связи.
Как недостатки можно выделить следующие особенности ОЭП:
Малый коэффициент полезного действия. Коэффициент полезного действия преобразований вида E (освещенность) > L (яркость) и L > E в лучших современных приборах (лазеры, светодиоды, p-i-n фотодиоды), как правило, не превышает 10...20%. Поэтому если в устройстве осуществляются такие преобразования лишь дважды (на входе и на выходе), как, например, в оптопарах или волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС), то общий КПД падает до единиц процентов. Введение каждого дополнительного акта преобразования информационных сигналов из одной формы в другую ведет к уменьшению КПД еще на порядок или более. Малое значение КПД вызывает рост энергопотребления, что недопустимо из-за ограниченных возможностей источников питания; затрудняет миниатюризацию, поскольку практически не удается отвести выделяющуюся теплоту; снижает эффективность и надежность большинства оптоэлекронных приборов.
Наличие разнородных материалов, применяемых в оптоэлектронных приборах и системах, обусловливает: малый общий КПД устройства из-за поглощения излучения в пассивных областях структур, отражения и рассеяния на оптических границах; снижение надежности из-за различия температурных коэффициентов расширения материалов; сложность общей герметизации устройства; технологическую сложность и высокую стоимость.
Оптоэлектроника использует оптические и электронные явления в веществах и их взаимные связи для передачи, обработки и хранения информации. Элементной базой оптоэлектроники являются оптоэлектронные приборы - оптроны.
Оптроном называется устройство, состоящее из связанных между собой оптически (посредством светового луча) светоизлучателя и фотоприемника и служащее для управления и для передачи информации.
Оптрон представляет собой единую конструкцию, состоящую из источника и приемника излучения, связанных между собой оптическим каналом. Структурная схема оптрона приведена на рис. 8.8.
Рис.8.8. Структурная схема оптрона
Входной сигнал, например электрический ток I вх, преобразуется в светоизлучателе СИ в световой поток Ф , энергия которого пропорциональна входному сигналу. По оптическому каналу ОК световой поток направляется в фотоприемник ФП, где преобразуется в пропорциональное световому потоку значение выходного электрического тока I вых. С помощью устройства управления оптическим каналом УОК можно управлять световым потоком путем изменения физических свойств самого оптического канала.
Таким образом, в оптронах осуществляется двойное преобразование энергии: электрической в световую и световой снова в электрическую. Это придает оптронам ряд совершенно новых свойств и позволяет на их основе создавать электронные устройства с исключительно своеобразными параметрами и характеристиками. Так, применение оптронов позволяет осуществить почти идеальную электрическую развязку между элементами устройства (сопротивление до 10 16 Ом, проходная емкость до 10 -4 пФ). Кроме того, могут быть эффективно использованы такие свойства оптронов, как однонаправленность информации, отсутствие обратной связи с выхода на вход, высокая помехозащищенность, широкая полоса пропускание (от нуля до сотен и даже тысяч мегагерц), совместимость с другими (полупроводниковыми) приборами. Это дает возможность использовать оптроны для модулирования сигналов, измерений в высоковольтных цепях, согласования низкочастотных цепей с высокочастотными и низкоомных с высокоомными.
К недостаткам оптронов следует отнести зависимость их параметров от температуры, низкие КПД и коэффициент передачи.
Рисунок 8.9. Устройство оптрона: 1 - выводы: 2 - фотоприемник: 3 - корпус; 4 - оптическая среда; 5 - светодиод
Устройство оптрона показано на рис.8.9 В качестве излучателей в оптронах используют обычно светодиоды на основе арсенида-фосфида галлия GaAsP или алюминий-арсенида галлия GaAlAs, характеризующиеся большой яркостью, высоким быстродействием и длительным сроком службы. Кроме того, они хорошо согласуются по спектральным характеристикам с фотоприемниками на основе кремния. В качестве фотоприемников могут использоваться фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы и фототиристоры.
Фотодиоды и фототранзисторы как приемники излучения получили в оптронах наибольшее распространение, поскольку по своим характеристикам и параметрам они могут работать совместно с интегральными микросхемами. Фототиристоры широко применяются в оптронах в качестве ключевых усилителей мощности, управляемых световым излучением. Передача светового излучения в оптронах осуществляется через оптический канал, роль которого могут играть различные среды. Назначение оптического канала - передача максимальной световой энергии от излучателя к приемнику. Передающей средой могут быть воздух, различные иммерсионные среды, а также оптические световоды длиной 1 м и более. Световолоконные оптические линии связи позволяют довести пробивное напряжение изоляции между входом и выходом оптрона до 150 кВ, что дает возможность применять оптроны для измерений в высоковольтных цепях.
Входными параметрами оптронов являются: номинальный входной ток светодиода в прямом направлении I вх.ном и падение напряжения на нем в прямом направлении U вх при номинальном значении входного тока; входная емкость С вх в заданном режиме; максимально допустимый входной ток I вх.макс; максимально допустимое обратное напряжение на входе U вх.обр.макс.
Выходными параметрами оптронов являются: максимально допустимое обратное напряжение U вх.обр.макс, прикладываемое к выходу; максимально допустимый выходной ток I вых.макс; выходная емкость С вых; световое R св и темновое R т выходные сопротивления (для фоторезисторных оптронов).
Из передаточных параметров исходными являются коэффициент передачи тока К I =(I вых / I вх)100, либо дифференциальный коэффициент передачи тока К I д = (dI вых / dI вх)100, выраженные в процентах.
Быстродействие оптрона оценивают при подаче на его вход прямоугольного импульса по времени задержки t з д от момента подачи импульса до момента достижения выходным током значения 0,1 I вых.обр.макс, а также по времени нарастания t нар выходного тока от 0,1 до 0,9 его максимального значения. Суммарное время задержки и нарастания называют временем включения t вкл. Быстродействие фотоприемника характеризуется его частотными свойствами, т.е. такой частотой синусоидально модулированного светового потока, при которой чувствительность фотоприемника вследствие инерционности уменьшается в раз.
Приведем краткое описание некоторых типов наиболее распространенных промышленных оптронов.
Фотодиодный оптрон. Условное графическое обозначение его приведено на рис. 8.10,а . В качестве излучателя используется светодиод на основе арсенида галлия.
В качестве фотоприемников в диодных оптронах используются кремниевые фотодиоды, которые хорошо согласуются по спектральным характеристикам и быстродействию с арсенид-галлиевыми светодиодами.
Коэффициент передачи тока диодного оптрона мал (K I = 1,0 1,5%), однако диодные оптроны являются самыми быстродействующими.
Как элемент электрической цепи фотоприемник диодного оптрона может работать в двух режимах: фотопреобразователя с внешним источником питания и фотогенератора без внешнего источника питания.
Если учесть зависимость светового потока светодиода оптрона от тока I вх через светодиод, то можно найти зависимость тока I н нагрузочного резистора R н или напряжения U н на нем от входного тока оптрона, т.е. I н = f(I вх ) или U н = φ (I вх ) .
Надо учитывать, что для передачи максимальной энергии требуется согласование нагрузочного резистора с выходным сопротивлением оптрона.
Фототранзисторный оптрон (рис. 8.10, б ).По сравнению с фотодиодным оптроном в качестве фотоприемника в нем используется кремниевый фототранзистор. Являясь усилителем базового тока, фототранзистор имеет существенно более высокую чувствительность, чем фотодиод, поэтому коэффициент передачи тока фототранзисторного оптрона K I = 50 100 %, а оптрона с составным фототранзистором – до 800% и более.
Рисунок 8.10. Условные графические обозначения оптронов: фотодиодного (а), фототранзисторного (б), фоторезисторного (в), фототиристорного (г)
Недостатком фототранзисторов является то, что они по сравнению с фотодиодами гораздо более инерционны и имеют быстродействие 10 -4 – 10 -5 с.
Фоторезисторный оптрон (рис.8.10,в ).В качестве фотоприемника в оптронах иногда используют фоторезисторы на основе селенида или сульфида кадмия (CdSe,CdS), а в качестве излучателя - спектрально согласующиеся с ними светодиоды на основе фосфида или арсенида-фосфида галлия (GaP, GaAsP). Быстродействие фоторезисторных оптронов целиком определяется быстродействием фотоприемника, которое составляет 100-200 мкс.
Фототиристорный оптрон (рис. 8.10,г ) включает в себя фототиристор в качестве фотоприемника. Быстродействие фототиристорного оптрона определяется временем выключения фототиристора, в течение которого прибор переходит из открытого состояния в закрытое, оно составляет десятки микросекунд.
В зависимости от типа фотоприемника оптроны могут применяться в электронных устройствах для переключения, преобразования, согласования, модуляции и т.д. Они могут использоваться также в качестве малогабаритных импульсных трансформаторов, реле для коммутации напряжений и токов, в автогенераторах, цепях обратной связи и т.д.
Оптроны с открытым оптическим каналом служат в качестве различных датчиков (перемещения, «края объекта» и др.). В устройствах передачи информации часто применяют оптоэлектронные интегральные микросхемы, в которых в одном корпусе объединены оптроны и интегральная микросхема. Фотоприемник такой микросхемы может быть изготовлен в том же кристалле кремния, что и транзисторная микросхема, как одно целое.
Оптоэлектронные устройства с управляемым световодом можно использовать в качестве логических ячеек преобразователей частоты, в устройствах переключения индикаторов, индикаторах вида жидкости, устройствах измерения малых перемещений, сенсорных устройствах очувствления роботов и т.д. Эти устройства обладают высоким быстродействием, помехозащищенностью, возможностью применения в агрессивных и взрывоопасных средах.
В последнее время при изготовлении оптоэлектронных устройств источник и приемник излучения оказывается возможным удалять из зоны измерения (от объекта контроля) на десятки метров с помощью элементов волоконной оптики - волоконных световодов (жгутов из нитей стекловолокна).
Оптоэлектронные устройства широко применяют в вычислительной технике, автоматике, контрольно-измерительных устройствах. В дальнейшем применение этих устройств будет расширяться по мере улучшения их характеристик: надежности, долговечности и температурной стабильности.